CMP技術(shù)所采用的設(shè)備及消耗品包括：拋光機、拋光漿料、拋光墊、后CMP清洗設(shè)備、拋光終點檢測及工藝控制設(shè)備、廢物處理和檢測設(shè)備等。拋光機、拋光漿料和拋光墊是CMP工藝的3大關(guān)鍵要素，其性能和相互匹配決定CMP能達(dá)到的表面平整水平。其中拋光漿料和拋光墊為消耗品。通常一個拋光墊使用壽命約僅為45至75小時。

CMP拋光墊，又稱CMP研磨墊，英文名為CMP Pad，主要用于半導(dǎo)體集成電路和藍(lán)寶石等方面。CMP拋光墊由含有填充材料的基礎(chǔ)材料組成，用來控制毛墊的硬度。拋光墊的表面微凸起直接與晶片接觸產(chǎn)生摩擦，以機械方式去除拋光層在離心力的作用下，將拋光液均勻地拋灑到拋光墊的表面，以化學(xué)方式去除拋光層，并將反應(yīng)產(chǎn)物帶出拋光墊。拋光墊的性質(zhì)直接影響晶片的表面質(zhì)量，是關(guān)系到平坦化效果的直接因素之一。

CMP是提供超大規(guī)模集成電路制造過程中表面平坦化的一種新技術(shù)，于1965年首次由美國的Monsanto提出，最初是用于獲取高質(zhì)量的玻璃表面。自從1991年IBM將CMP成功應(yīng)用到64M DRAM的生產(chǎn)中以后，CMP技術(shù)在世界各地迅速發(fā)展起來。區(qū)別于傳統(tǒng)的純機械或純化學(xué)的拋光方法，CMP通過化學(xué)的和機械的綜合作用，從而避免了由單純機械拋光造成的表面損傷和由單純化學(xué)拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點。它利用了磨損中的“軟磨硬”原理，即用較軟的材料來進(jìn)行拋光以實現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光。在一定壓力及拋光漿料存在下，被拋光工件相對于拋光墊作相對運動，借助于納米粒子的研磨作用與氧化劑的腐蝕作用之間的有機結(jié)合，在被研磨的工件表面形成光潔表面。CMP技術(shù)最廣泛的應(yīng)用是在集成電路（IC）和超大規(guī)模集成電路中（ULSI）對基體材料硅晶片的拋光。而國際上普遍認(rèn)為，器件特征尺寸在0.35μm以下時，必須進(jìn)行全局平面化以保證光刻影像傳遞的精確度和分辨率，而CMP是目前幾乎唯一的可以提供全局平面化的技術(shù)，其應(yīng)用范圍正日益擴大。

目前全球生產(chǎn)集成電路用拋光墊的企業(yè)主要是陶氏（羅門哈斯），其壟斷了集成電路芯片所需拋光墊約79%的市場份額。國外其他生產(chǎn)商有美國卡博特、日本東麗、臺灣智勝科技有限公司、日本FujiboHoldings, Inc、韓國KPX Chemical Co., Ltd.、日本Nitta-Haas Incorporated等。

據(jù)SEMI統(tǒng)計，2013年CMP拋光墊銷售金額約8.64億美元，2018年全球集成電路制造材料銷售額為322億美元，其中CMP拋光墊約12.75億美元。2013~2018年年均增長率約8.1%。

2019年，全球半導(dǎo)體市場受到中美貿(mào)易沖突影響較大，美國半導(dǎo)體協(xié)會SIA預(yù)計全年銷售額將同比下降12.8%。長期來看，隨著全球向新經(jīng)濟模式轉(zhuǎn)換，新技術(shù)飛速發(fā)展，半導(dǎo)體行業(yè)需求預(yù)計從2020年開始反彈，未來幾年將快速增長，將帶動對CMP拋光墊的需求。預(yù)計2018~2023年全球CMP拋光墊市場年均增長5%，2023年將達(dá)到16.3億美元。

國內(nèi)企業(yè)在化學(xué)機械拋光領(lǐng)域起步較晚，目前與國際先進(jìn)水平仍有較大差距，國內(nèi)有少數(shù)企業(yè)采用國外公司主要是3M技術(shù)少量生產(chǎn)中低端產(chǎn)品，但缺乏獨立自主知識產(chǎn)權(quán)和品牌，龐大的國內(nèi)市場完全被外資產(chǎn)品所壟斷。